Agujp-官方 IBM 与三星共同开发 VTFET 芯片技术：手机充电一次续航 2 周，助力实现 1nm 以下制程
源码UI源码网 12 月 13 日消息，在加州旧金山举办的 IEDM 2021 国际电子元件会议中，IBM 与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 的芯片设计技术，该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，借此让晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。
相较传统将晶体管以水平方式堆叠的设计，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并且让运算速度提升两倍，同时通过让电流以垂直方式流通，也让电力损耗降低 85%（性能和续航不能同时兼顾）。
IBM 和三星声称，该工艺有朝一日可能允许手机在一次充电的情况下使用一整个星期。他们说，这也可以使某些能源密集型的任务，包括加密工作，更加省电，从而减少对环境的影响。
源码UI源码网掌握到，目前 IBM 与三星尚未透露预计何时将垂直传输场效应晶体管设计应用在实际产品，但预期很快就会有进一步消息。
不过，台积电已经在今年 5 月宣布与中国台湾大学、麻省理工学院共同研究，通过铋金属特性突破 1nm 制程生产极限，让制程技术下探至 1nm 以下。而英特尔日前也已经公布其未来制程技术发展布局，除了现有纳米 (nm) 等级制程设计，接下来也会开始布局埃米 (Å) 等级制程技术，预计最快会在 2024 年进入 20A 制程技术。
下载说明：
1.本站资源都是白菜价出售，同样的东西，我们不卖几百，也不卖几十，甚至才卖几块钱，一个永久会员能下载全站100%源码了，所以单独购买也好，会员也好均不提供相关技术服务。
2.如果源码下载地址失效请/联系站长QQ进行补发。
3.本站所有资源仅用于学习及研究使用,请必须在24小时内删除所下载资源，切勿用于商业用途，否则由此引发的法律纠纷及连带责任本站和发布者概不承担。资源除标明原创外均来自网络整理,版权归原作者或本站特约原创作者所有,如侵犯到您权益请联系本站删除!
4.本站站内提供的所有可下载资源（软件等等）本站保证未做任何负面改动（不包含修复bug和完善功能等正面优化或二次开发）；但本网站不能保证资源的准确性、安全性和完整性，用户下载后自行斟酌，我们以交流学习为目的，并不是所有的源码都100%无错或无bug；同时本站用户必须明白，【AGU极品网】对提供下载的软件等不拥有任何权利（本站原创和特约原创作者除外），其版权归该资源的合法拥有者所有。
5.请您认真阅读上述内容，购买即以为着您同意上述内容。
AGU极品网 » IBM 与三星共同开发 VTFET 芯片技术：手机充电一次续航 2 周，助力实现 1nm 以下制程
1.本站资源都是白菜价出售，同样的东西，我们不卖几百，也不卖几十，甚至才卖几块钱，一个永久会员能下载全站100%源码了，所以单独购买也好，会员也好均不提供相关技术服务。
2.如果源码下载地址失效请/联系站长QQ进行补发。
3.本站所有资源仅用于学习及研究使用,请必须在24小时内删除所下载资源，切勿用于商业用途，否则由此引发的法律纠纷及连带责任本站和发布者概不承担。资源除标明原创外均来自网络整理,版权归原作者或本站特约原创作者所有,如侵犯到您权益请联系本站删除!
4.本站站内提供的所有可下载资源（软件等等）本站保证未做任何负面改动（不包含修复bug和完善功能等正面优化或二次开发）；但本网站不能保证资源的准确性、安全性和完整性，用户下载后自行斟酌，我们以交流学习为目的，并不是所有的源码都100%无错或无bug；同时本站用户必须明白，【AGU极品网】对提供下载的软件等不拥有任何权利（本站原创和特约原创作者除外），其版权归该资源的合法拥有者所有。
5.请您认真阅读上述内容，购买即以为着您同意上述内容。
AGU极品网 » IBM 与三星共同开发 VTFET 芯片技术：手机充电一次续航 2 周，助力实现 1nm 以下制程
